晶体管的特性曲线

    晶体管的特性曲线是反映各电极电流和极间电压关系的曲线。常用的共发射极接法的特性曲线如图1-72所示。

    图1-72    晶体管的特性曲线

   a)输入特性曲线b）输出特性曲线

   (1)输入特性曲线

    晶体管的输入特性曲线是反映晶体管输入回路中基极电流IB与基极一发射极电压UBE之间关系的曲线，如图1-72a所示。由图可以看出，在输入电压UBE较小时，基极电流IB几乎为零。只有当UBE大于死区电压（对硅管约为0.5V，锗管约为0.2V）时才有基极电流IB。

   (2)晶体管的输出特性

    晶体管的输出特性曲线分为放大区、截止区、饱和区，如图1-72b所示。

   1)放大区。要使晶体管起放大作用，其工作电源的接法是：晶体管的发射结加正向电压；集电结加反向电压。从电位上来分析，PNP型晶体管3个电极的电位要求是：UE> UB> UC，即发射极的电位比基极高，基极的电位比集电极高；NPN型晶体管的电位则恰好相反。晶体管的电源接法如图1-73所示。

    图1-73    晶体管的电源接法

   a) PNP型管b）NPN型管

    处于放大区的晶体管，集电极电流和基极电流成正比，即IC=βIB。式中β为晶体管的电流放大倍数。基极电流IB很小的变化，就会引起集电极电流IC和发射极电流IE的变化，这就是晶体管的放大作用。

   2)截止区。截止区是输出特性IB=0曲线以下的区域，在该区域晶体管工作在截止状态，IB=0，IC很小。此时晶体管的集电极一发射极间呈高阻，相当于开关断开。若测得晶体管的集电极对地电压接近电源电压，则表明晶体管处于截止状态。

   3)饱和区。在输出特性曲线左侧，IC接近于直线上升的区域，晶体管工作于饱和状态，在此区，集电极电流IC和基极电流IB不成正比关系，IB的变化对IC的影响较小，晶体管失去电流放大作用。处于截止区的晶体管，集电极-发射极间呈低阻，相当于开关闭合。若测得晶体管的集电极对地电压接近于零，则表明管子处于饱和状态。

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