绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的检测

    IGBT检测包括极性检测和好坏检测，检测方法与增强型NMOS管相似。

   (1)极性检测。正常的IGBT的G极与C、E极之间不能导通，正、反向电阻均为∞。在G极无电压时，IGBT的C、E极之间不能正向导通，但由于C、E极之间存在一个反向寄生二极管，所以C、E极正向电阻∞，反向电阻较小。

   IGBT引脚极性检测与增强型NMOS管相似。在检测IGBT引脚极性时，万用表选择R×1kΩ挡，测量IGBT各脚之间的正、反向电阻，当出现一次阻值小时，红表笔接的引脚为C极，黑表笔接的引脚为E极，余下的引脚为G极。

   (2)好坏检测。IGBT的好坏检测可按下面的步骤进行：

    第1步  用万用表R×1kΩ挡检测IGBT各引脚之间的正、反向电阻，正常只会出现一次阻值小的情况。若出现两次或两次以上阻值小的情况，可确定IGBT一定损坏；若只出现一次阻值小的情况，还不能确定IGBT一定正常，需要进行第二步测量。

    第2步  用导线将IGBT的G、E极短接，释放G极上的电荷，再将万用表拨至R×10kΩ挡，红表笔接IGBT的E极，黑表笔接C极，此时表针指示的阻值为∞或接近∞；然后用导线瞬间将C、G极短接，让万用表内部电池经黑表笔和导线给G极充电，让G极获得电压，如果IGBT正常，内部会形成沟道，表针指示的阻值马上由大变小；再用导线将G、E极短路，释放G极上的电荷来消除G极电压，如果IGBT正常，内部沟道会消失，表针指示的阻值马上由小变为∞。

    以上两步检测时，如果有一次测量不正常，则为IGBT损坏或性能不良。