单结晶体管的结构、符号和特性

    单结晶体管又称为双基极二极管，它有一个发射极和两个基极。在一块高阻率的N型硅基片上用镀金陶瓷制作成两个接触电阻很小的极，称为第一基极(B1)和第二基极(B2)，而在硅基片的另一侧靠近B2处掺入P型杂质，并引出一个铝质电极，称为发射极(E)。发射极E对基极B1、B2就是一个PN结，故称为单结晶体管，如图6-20所示。

    因为N型硅基片的杂质少，所以B1和B2极之间电阻较高，RBB=RB1+RB2，为4～12kΩ。RB1和RB2分别是两个基极与发射极之间的电阻，发射极与两个基极之间的PN结用一个等效二极管VD表示，单结晶体管的等效电路如图6-20c所示。

    图6-20    单结晶体管结构、符号和等效电路

    单结晶体管的电压电流特性曲线如图6-21所示。由特性曲线图可知，单结晶体管具有截止区、负阻区、饱和区3个工作区域。当发射极电压UE等于峰点电压Up时，单结晶体管导通，且UE随导通电流IE的增大而降低，这就是单结晶体管所特有的负阻特性；当发射极电压UE减小到谷点电压UV时，管子由导通变为截止。

    图6-21    单结晶体管的电压电流特性

    单结晶体管还具有以下特点：

   (1)单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关。

   (2)不同的单结晶体管有不同的UP和UV。同一个单结晶体管，若电源电压UBB不同，它的UP和UV也有所不同。一般单结晶体管的谷点电压在2~5V。

    单结晶体管的型号有BT31、BT33、BT35等，其中“B”表示半导体，“T”表示特种管，“3”表示3个电极，第四位数字表示耗散功率为100mW、300mW、500mW

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