加强注入型绝缘栅极晶体管（IEGT）概述

    众所周知，IGBT在中小型低压变频器中应用广泛，其外围电路简单、体积小、损耗低，且控制方便。但若把这种低压器件用于高压变频器，则需多个器件串并联才能耐高压。使得变频器的结构复杂，元件数多，容易产生故障。因此，迫切希望开发一种高耐压、大容量的IGBT的新器件。从元件设计的角度看，单纯地将IGBT的电压提高到数千伏，若原有制造技术和构造不加变更，则会使稳态损耗增大，通态压降升高使变频器的功耗大大增加。

    新型IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)器件是一种“电子加强注入型绝缘栅极晶体管”。这种新型器件既能保持IGBT的优良关断特性，又使高压情况下通态电压降低。