绝缘栅双极晶体管(IGBT)的主要参数

    (1)集电极发射极额定电压UCES

   UCES是当栅极一发射极短路时测出IGBT承受的耐压。UCES应小于或等于器件的雪崩击穿电压。

   (2)栅极发射极额定电压UGES

   UGES是栅极控制信号的电压额定值。目前，IGBT的UGES值多为+20 V，故实际的栅极控制电压值应小于此值。

   (3)额定集电极电流IC

   IC是指IGBT在导通时允许管子流过的持续最大电流。

   (4)集电极-发射极电压降UCE(set)

   UCE是指IGBT在正常饱和导通时，集电极-发射极间的管压降，该值越小，则管子的功耗越小，一般为2.5～3.5 V。

   (5)开关频率

    在IGBT使用手册中，开关频率用导通时间ton、下降时间tf和关断时间toff等数据来估计。它与环境温度、集电极电流、栅极电阻、驱动模块的延迟特性有关。一般IGBT的开关频率小于100 kHz，它比BJT快得多，可达30～40 kHz。开关频率高是IGBT的一个重要优点。