绝缘栅双极晶体管(IGBT)的结构

    IGBT(Isulated Gate Bipolar Transistor)是一种结合了大功率晶体管(BJT)和功率场效应晶体管(MOSFET)二者特点的复合型器件。它既具有MOS器件的工作速度快、驱动功率小的特点，又具备了大功率晶体管的电流能力大、导通压降低的优点，是一种极有价值的新型器件。图3-14表明了IGBT兼有BJT和MOS的优点。

    图3-14    IGBT兼有BJT和MOS的优点

    图3-15    IGBT的结构示意图

   IGBT是在功率场效应管的基础上发展起来的新元件。图3-15为IGBT的结构示意图，IGBT和MOSFET二者结构很类似，不同之处是IGBT多了一个P层发射极，使IGBT相当于一个由MOS驱动的复合型BJT。

    由图3-16(a)的IGBT等效电路可见，IGBT是以BJT为主导元件、MOS为驱动元件的达林顿结构器件。其电气图形符号如图3-16(b)所示。

    图3-16    IGBT等效电路和电气图形符号

    目前，IGBT的容量已经达到BJT水平(单管IGBT达到2400 A/1200V，1800 A/1700 V)，而且它的驱动简单、保护容易，不用缓冲电路，开关频率高，这些都使IGBT变频器比BJT变频器有更大的吸引力。事实上，在新出品的通用变频器中，IGBT已完全取代了BJT。

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