双极晶体管(BJT)的主要参数

    (1)最大漏极电流IDmax

    最大漏极电流IDmax表示该元件连续电流的额定值，它与元件内部结构和栅极所加电压大小有关，使用时栅极电压必须超过阈值电压。由于MOSFET是作为高频开关器件使用，其开关损耗比BJT低得多，故选择时裕量可以留小一些。如10 W电子镇流器，选用BJT用2～4 A，改用MOSFET选0.5 A就足够了。

   (2)击穿电压UDS

    击穿电压UDS主要取决于器件的结构设计，早期该电压限制为600 V，目前击穿电压已提高到1000 V。

   (3)导通电阻Ron

    导通电阻决定了元件的通态损耗，由器件结构设计而定，它具有正向的温度系数，即负荷电流增大时，附加发热使Ron增大，对电流的增加有抑制作用。这种自限流能力，在器件的并联应用时有自动均衡电流的效果。

   (4)阈值电压UGS

    阈值电压是沟道区表面由P型反型成为N型所需的最低栅极电压。实际使用时，所加栅极电压应为阈值电压的1.5～2.5倍，以利于沟道充分反型，获得较小的沟道压降。大部分厂家生产的MOSFET的阈值电压值为2～6 V，故栅极驱动电压都设计为15 V。

   (5)开关频率

   MOSFET的开关速度和工作频率比BJT要高1～2个数量级，它的开关时间和频率响应主要取决于栅极输入端电容的充放电时间。MOSFET的开关时间为几纳秒至几十纳秒，而BJT的开关时间为5～50μs，故推算起来，MOSFET的开关频率可达500 kHz以上。