栅极源极漏极怎么区分

场效应管MOSFET
栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。
源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。
漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者
在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。
N型导电沟道结型场效应管的电路符号。
将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器
栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。