集成芯片M579..Series (MITSUBISHI公司)有什么特点？

    M579..Series是日本三菱公司为IGBT驱动提供的一种IC系列，表2-6给出了这种系列的几种芯片的基本应用特性（其中有*者为芯片内部含有Booster电路）。    在M579..Series中，以M57962L为例做出一般的解释。随着逆变器功率的增大和结构的复杂，驱动信号的抗干扰能力显得尤为重要，比较有效的办法就是提高驱动信号关断IGBT时的负电压，M57962L的负电源是外加的（这点和EXB8..Series不同），所以实现起来比较方便。M57962L在驱动大功率IGBT模块时采用NPN和PNP构成电压提升电路，选用快速晶体管(tf≤200ns)，并且有足够的电流增益以承载需要的电流。    表2-6    M579..Series的基本应用特性
    在使用M57962L驱动大功率IGBT模块时，应注意以下三个方面的问题。    ①驱动芯片的最大输出电流峰值受栅极电阻Rg的最小值限制，例如，对于M57962L来说，Rg的允许值在5Ω左右，这个值对于大功率的IGBT来说高了一些，且当Rg较高时，会引起IGBT的开关上升时间td (on)、下降时间td (off)以及开关损耗的增大，在较高开关频率（5kHz以上）应用时，这些附加损耗是不可接受的。    ②即便是这些附加损耗和较慢的开关时间可以被接受，驱动电路的功耗也必须考虑，当开关频率高到一定程度时（高于14kHz），会引起驱动芯片过热。    ③驱动电路缓慢的关断会使大功率IGBT模块的开关效率降低，这是因为大功率IGBT模块的栅极寄生电容相对比较大，而驱动电路的输出阻抗不够低。还有，驱动电路缓慢的关断还会使大功率IGBT模块需要较大的吸收电容。    随着电力电子技术的快速发展，三相逆变器的应用变得非常广泛。近年来，随着IGBT制造技术的提高，相继出现了电压等级越来越高、额定功率越来越大的单管、两单元IGBT模块及六单元IGBT模块，同时性能价格比的提高使得IGBT在三相逆变器的设计中占有很大的比重，成为许多设计人员首选的功率器件。随之而来的是IGBT的驱动芯片也得到了很大的发展，设计人员、生产厂家都给予了高度重视，小型化、多功能集成化成为人们不断追求的目标。相信随着制造技术的发展，将会研制出更多更好的IGBT驱动芯片，并得到广泛的应用。