集成芯片TLP250(TOSHIBA公司)有什么特点？

    在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时．这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等。    TLP250包含一个GaAIAs光发射二极管和一个集成光探测器，8脚双列封装结构。适合于IGBT或电力MOSFET栅极驱动电路。表2-4给出了其工作时的真值表。    表2-4    TLP250工作时的真值表
    (1) TLP250的典型特征    ①输入阈值电流（IF）：5mA（最大）；    ②电源电流(Icc): 11mA（最大）；    ③电源电压(Vcc): 10～35V；    ④输出电流（Io）：±0.5A（最小）；    ⑤开关时间( tPLH /tPHL)：0.5μs（最大）；    ⑥隔离电压：2500V（最小）。    图2-17和图2-18给出了TLP250的两种典型的应用电路。    在图2-18中，VT1和VT2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系，例如，电源电压为24V时，VT1和VT2的Icmax≥24/Rg。    TLP250驱动IGBT时，由于TLP200不具备过流保护功能，当IGBT过流时，通过控制信号关断IGBT，IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向的冲击。这将会产生很大的di/dt和开关损耗，而且对控制电路的过流保护功能要求很高。
    图2-17    用于额定值1200V／50A以下IGBT的驱动
    图2-18    用于额定值1200V／50A以上IGBT的驱动    (2) TLP250使用特点    ①TLP250输出电流较小，对较大功率IGBT实施驱动时，需要外加功率放大电路。    ②由于流过IGBT的电流是通过其他电路检测来完成的，而且仅仅检测流过IGBT的电流，这就有可能对于IGBT的使用效率产生一定的影响，比如IGBT在安全工作区时，有时出现的提前保护等。    ③要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快，一般由过电流发生到IGBT可靠关断应在10μs以内完成。    ④当过电流发生时，TLP250得到控制器发出的关断信号，对IGBT的栅极施加一负电压，使IGBT硬关断。这种主电路的dv/dt比正常开关状态下大了许多，造成了施加于IGBT两端的电压升高很多，有时就可能造成IGBT的击穿。