金属氧化物场效应管(MOSFET)有什么特点？

    MOSFET是一种单极型的电压控制器件。现用N沟道MOSFET的模拟结构来说明其工作原理，在栅极(G)电压为零时，器件的漏极(D)与源极(S)之间的PN结为反偏状态，MOSFET处于截止状态。如果在栅极加上正向电压，同时漏极与源极之间也存在正向电压，栅极下面则开始形成耗尽区并出现负电荷，硅层表面由P型反型成为N型。此时电子从源极向漏极移动形成电流，器件导通。这个反型层被称为沟道。根据沟道的不同，MOSFET可以分为N沟道和P沟道两种。    功率MOSFET由于是电压控制型器件，驱动功率小，使用方便，开关频率很高（达到几十千赫兹至几百千赫兹），因而广泛应用于高频开关电源及小容量电力变流装置中。