功率场效应晶体管MOSFET简介

    MOSFET的原意是：MOS（metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET( FieldEffectTransistor场效应晶体管)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。

    功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(metal OxideSemiconductor FET)，简称功率MOSFET (PowerMOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction TransistoI-SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单、需要的驱动功率小、开关速度快、工作频率高、热稳定性优于GIR，但其电流容量小、耐压低，一般只适用于功率不超过lOkW的电力电子装置。

    功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为：耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型。对于N (P)沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。