电力半导体器件的比较

    电力半导体器件的主要性能参数为电压、电流、工作频率三项指标，通过这三项指标的比较可以清楚地说明各种器件的优势和各自的应用范围。

    一般来说，SCR、GTO等属于高压、大电流器件，但开关频率较低；功率晶体管BJT与IGBT居中，工作频率较高，并且IGBT已覆盖BJT；MOSFET的工作频率最高，但容量相对较低；而一些新型器件如SITH、MCT等则在各方面均有较大潜力。表1-3列出了全控型器件的性能比较。

    表1-3    全控型电力电子器件性能的比较

    目前，电力半导体正向大功率、高频率和易驱动这三个方向发展，其他新型产品如SITH、MCT等大功率器件将实现实用化，功率集成电路也将会使电力电子技术进入一个新的发展阶段。