IGBT的擎住效应和安全工作区

    擎住效应或自锁效应：NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，而使电流失控，动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决，IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件。一个IGBT的安全运行区可以分为三个主要区域：

   (1)正向导通（正向偏置安全运行区FBSOA）。由最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。这部分安全运行区是指电子和空穴电流在导通瞬态时流过的区域。在IC处IGBT的擎住效应和安全工作区

    擎住效应或自锁效应：NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，而使电流失控，动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决，IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件。一个IGBT的安全运行区可以分为三个主要区域：

   (1)正向导通（正向偏置安全运行区FBSOA）。由最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。这部分安全运行区是指电子和空穴电流在导通瞬态时流过的区域。在IC处