IGBT的主要参数

    IGBT的特性和参数特点如下：开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GIR的1/10，与功率MOSFET相当；相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力；通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域；输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似；IGBT与MOSFET和GIR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。

   (1)最大集射极间电压UCES由内部PNP晶体管的击穿电压确定。

   (2)最大集电极电流IC，包括额定直流电流IEZ和1ms脉宽最大电流ICP。

   (3)最大集电极功耗PCM正常工作温度下允许的最大功耗。

   (4)最大工作频率。开关频率是用户选择适合的IGBT时需考虑的一个重要的参数，所有的硅片制造商都为不同的开关频率专门制造了不同的产品。特别是在电流流通并主要与UCE(sat)相关时，把导通损耗定义成功率损耗是可行的。这三者之间的表达式：Pcond=UCEIC。开关损耗与IGBT的换向有关系，但是，主要与工作时的总能量消耗Ets相关，并与终端设备的频率的关系更加紧密。总损耗是两部分损耗之和

   Ptot=Pcond+Ets

    在这一点上，总功耗显然与Ets和UCE(sat)两个主要参数有内在的联系。这些变量之间适度的平衡关系，与IGBT技术密切相关，并为用户最大限度降低终端设备的综合散热提供了选择的机会。因此，为最大限度地降低功耗，根据终端设备的频率，以及与特殊应用有内在联系的电平特性，用户应选择不同的器件。