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IGCT应用概述
来源：艾特贸易2018-06-12
简介为了便于 IGCT 与 GTO 、 IGBT 的应用比较，下面从使用角度对三种 3.3kV 器件的部分特性进行了粗略的比较见表 1-11 。可见， IGCT 兼有 GTO 、 IGBT 两者的优点。 IGCT 的应用情况可从可靠性、
为了便于IGCT与GTO、IGBT的应用比较，下面从使用角度对三种3.3kV器件的部分特性进行了粗略的比较见表1-11。可见，IGCT兼有GTO、IGBT两者的优点。IGCT的应用情况可从可靠性、吸收与钳位电路、功率和频率及其适用范围方面讨论。
表1-11 三种3.3kV器件的特性比较
特性
IGBT
GTO
IGCT
器件通态损耗
100%
70%
50%
器件关态损耗
100%
100%
100%
器件开通损耗
100%
80%
5%
门极驱动功率
1%
100%
50%
短路电流
自身限制
外部限制（电抗器）
外部限制（电抗器）
du/dt吸收电路
无
有
无
di/dt吸收电路
无
有
有
承受高开关频率能力
有
无
有
开关芯片
分立
单片
单片
二极管芯片
分立
单片
单片
芯片封装
一般为焊接，特殊高温循环需要压接
压接
压接
破坏后特性
开路
短路
短路
