IEGT的工作原理

    图1-30 (a)所示是IEGT的一单胞，为沟槽型结构，电子、空穴电流的流动如图中箭头。空穴从整个宽的N基区被挤到夹于两窄槽间的N沟道区，通过连接阴极电极的P层流向阴极。这一路径的阻抗很高，N基区的N沟道附近易于滞留空穴。此时，电子通过槽壁的沟道部分进入N基区，以满足N区的电中性条件。结果N基区的阴极侧附近电子浓度同阳极侧的浓度一样高，得到了一个接近晶闸管的电子浓度分布，故而通态电压接近晶闸管。IEGT优于IGBT的主要原因是，它利用促进电子注入的效应，来控制积蓄在i层（阴极侧）的载流子数量。通过采用沟槽结构，可防止从阳极注入的空穴直接流到阴极。晶体管在维持非锁定状态的同时，可在N基区层（阴极侧）积蓄高浓度的载流子。此时，由微细工艺形成沟道的MOSFET的通态电阻远低于pin二极管，基本上可忽略不计。

    图1-30    IEGT的基本单元结构与等效电路图

   (a)单元结构图；(b)等效图

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