IEGT基本概述

    在国民经济的基础工业部门，如交通、钢铁、电力等领域中，其高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前，这类高压变频器仍是GTO和光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器件的应用占主导地位。特别是GTO发展比较快，6kV级的器件已经实用化了。但其最大的缺点是需要配以大容量的浪涌电路和电抗器，故其外围电路体积非常大，使用起来十分不便。

   IGBT在中小型低压变频器中应用广泛，其外围电路简单、体积小、损耗低，且控制方便。但若把这种低压器件用于高压变频器，则须多个串并联才能耐高压。使得变频器的结构复杂，元件数多容易产生故障。因此，迫切希望开发一种高耐压、大容量的IGBT的新器件。从元件设计的角度看，单纯地将IGBT的电压提高到数千伏，若原有制造技术和构造不加变更，则会使稳态损耗增大，由于通态电压降升高使变频器的功耗大大增加。

    新型IEGT器件是一种“电子加强注入型绝缘栅极晶体管”，IEGT是英文Injection EnhancedGate Transistor的缩写名称，意为促进电子注入栅极晶体管。它融合了IGBT和GTO器件的优点，维持了IGBT的开关特性，又有GTO的低通态电压值。这种新型器件既能保持IGBT的优良关断特性，又使高压情况下通态电压降低。