变频电源中COOLMOS与IGBT的比较

    600、800V耐压的COOLMOS的高温导通压降分别约6、7,5V，关断损耗降低1/2，总损耗降低1/2以上，使总损耗为常规MOSFET的40%~ 50%。常规600V耐压MOSFET导通损耗占总损耗约75%，对应相同总损耗超高速IGBT的平德点达160kHz，其中开关损耗占约75%。由于COOLMOS的总损耗降到常规MOSFET的40%~50%，对应的IGBT损耗平衡频率将由160kHZ降到约40kHZ，增加了MOSFET在高压中的应用。    从以上讨论可得出以下结论：新型高压MOSFET使长期困扰高压MOSFET的导通压降高的问题得到解决；可简化整机设计，如散热器件体积可减少到原40%左右；驱动电路、缓冲电路简化；具备抗雪崩击穿能力和抗短路能力；简化保护电路并使整机可靠性得以提高。