变频电源中IGBT的关断过程

    关断延迟时间td(off)：从UGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到ic下降至90% ICM。    电流下降时间：ic从90% IcM下降至10% ICM。    关断时间toff：关断延迟时间与电流下降时间之和，电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。    tfi1：ICBT内部的MOSFET的关断过程，ic下降较快。    tfi2：IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，ic下降较慢。    IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的好处，但也引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度低于功率MOSFET。IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数。