变频技术

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• 怎样理解集成IPM式变频器功率逆变模块组件的工

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  (1) 保护控制 如图 10-16 所示，变频功率模块 PM20CTM060 电路通常受主控制板输送来的控制信号的控制而进行工作的。功率模块的⑥脚为功率模块保护信号输出端，当功率模块出现过电流、...

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• 使用与代换绝缘栅双极型晶体管IGBT时，怎样注意

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  (1) 耐压要求 IGBT 管的栅极是通过一层氧化膜与发射极进行电隔离的。由于该氧化膜非常簿，故其栅极与发射极之间的耐压 UGE 值为 20 V ，如所加电压超出该电压值时，就有损坏 IGBT 管子...

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• 变频电源中功率MOSFET的结构

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  MOSFET 的原意是： MOS （ me tal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体）， FET( Field EffectTransistor 场效应晶体管 ) ，即以金属层 (M) 的栅极隔着氧化层 (O) 利用电场的效应来控制半导体 (S) 的场效...

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• 变频器中使用的智能模块是怎样构成的？

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  (1) 智能模块含义 所谓智能模块，就是将与逆变配套的驱动电路、检测和保护电路以及某些接口电路等与功率模块均组合在一起的功率集成模块，通常采用字母 IPM 来表示。 图 10-17 所示...

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• 变频器中使用的智能模块有怎样的特点？

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  (1) 内含过热保护功能 如图 10-17 所示，智能模块中的过热保护电路用于保护 IGBT 和续流二极管不致过热损坏。一旦管子的结温过高，过热保护电路就会动作，并输出控制信号去进行报警...

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• 怎样理解绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极与发射极

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  集电极与发射极间额定电压是指 IGBT 管在截止状态下，其集电极与发射极之间能够承受的最大电压，通常采用字母 UCES 来表示。...

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• 怎样识别普通晶闸管电路图形符号？在构成上有

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  普通晶闸管电路图形符号及结构和等效电路如图 10-18 与图 10-19 所示。普通晶闸管是由 PNPN4 层半导体材料构成的三端半导体器件， 3 个引出端分别为阳极 (A) 、阴极 (K) 和门极 (G) ，图...

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• 怎样理解绝缘栅双极晶体管IGBT的栅极与发射极之

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  栅极与发射极之间额定电压是指 IGBT 管栅极与发射极之间允许施加的最大电压，通常采用字母 UGES 来表示。 UGES 电压通常为 20 V 。...

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• 普通晶闸管在构成上有怎样的特点？

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  普通晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能，其结构可以等效为由 1 只 PNP 三极管和 1 只 NPN 三极管组成的复合管，如图 10-19 所示。 图 10-19 普通晶闸管的结构和等效电路...

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• 怎样理解绝缘栅双极晶体管IGBT的集电极额定电流

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  集电极额定电流是指 IGBT 管在饱和导通状态下允许持续通过的最大电流，通常采用字母 Ic 来表示。...

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