变频技术
变频技术
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普通晶闸管的导通与截止条件是怎样规定的?
变频技术(1) 截止状态 当晶闸管反向连接(即 A 极接电源负端, K 极接电源正端)时,无论门极所加电压是什么极性,晶闸管均处于阻断状态。 (2) 导通状态 当晶闸管正向连接(即 A 极接电源正...
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怎样理解绝缘栅双极晶体管IGBT集电极与发射极间
变频技术集电极与发射极间的饱和电压是指 IGBT 管在饱和导通状态下,集电极与发射极之间电压降,通常采用字母 UCE 来表示。...
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怎样理解变频器中使用的绝缘栅双极型晶体管的
变频技术绝缘栅双极型晶体管简称 IGBT ,是场效应晶体管 ( MOSFET) 和电力晶体管 (GTR) 组合在一起而形成的。它的主体部分与 GTR 相同,也有集电极 (C) 和发射极 (E) ,而控制极的结构与 MOSFET 相同...
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怎样理解绝缘栅双极晶体管IGBT开关频率的含义?
变频技术由于 IGBT 管的开通时间与关断时间都很小,故开关频率较高,可达 30~40 kHz 。在变频器中,实际使用的载波频率大多在 15 kHz 以下。...
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怎样理解变频器中使用的绝缘栅双极型晶体管控
变频技术由绝缘栅双极型晶体管构成的基本电路如图 10-21 所示。在该电路中,控制信号为电压信号 UGE ,栅极与发射极之间的输入阻抗很大,故信号电流与驱动功率(控制功耗)均很小。 图 1...
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绝缘栅双极晶体管IGBT模块内部结构是怎样的?
变频技术现在变频器中使用的绝缘栅双极晶体管 IGBT 均以模块的方式出现,这主要是生产厂家为了使用方便,而将分立元器件方式的多个 IGBT 组合在一起而形成的。根据组合 IGBT 的数量不同而有...
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怎样理解变频器中使用的绝缘栅双极型晶体管主
变频技术绝缘栅双极型晶体管由于和电力晶体管 GTR 相同,额定电压与电流容易做得较大,故在中小容量的变频器中, IGBT 已经完全取代了 GTR 晶体管。 总而言之, IGBT 是一种以极小的控制功率...
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怎样判断绝缘栅双极型晶体管IGBT的极性?
变频技术在检测之前,需要把 IGBT 管的三个引脚短路进行放电后再进行测量,以保证测量的准确性。 (1) 栅极的判断判断方法 采用万用表的 R 1 k 挡,测量 IGBT 管的三个引脚之间的电阻值,如果某...
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)有怎样的特点?
变频技术绝缘栅双极晶体管的主要特点表现在以下几个方面。 (1) 输入阻抗高 绝缘栅双极晶体管输入阻抗高,栅极驱动功率极小,驱动电路也很简单。 (2) 电流密度大 绝缘栅双极晶体管芯片面积...
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怎样采用单万用表检测判断绝缘栅双极型晶体管
变频技术单万用表检测法就是使用指针式万用表的 R 10 k 挡来对绝缘栅双极晶体管进行检测的一种方法。具体方法如下。 (1) 栅极反向充电 用万用表的红表笔接绝缘栅双极晶体管的栅极、黑表笔...
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