绝缘栅双极晶体管(IGBT)有怎样的特点？

    绝缘栅双极晶体管的主要特点表现在以下几个方面。    (1)输入阻抗高    绝缘栅双极晶体管输入阻抗高，栅极驱动功率极小，驱动电路也很简单。    (2)电流密度大    绝缘栅双极晶体管芯片面积比MOSFET小一倍多的IGBT，电流容量比同样耐压的MOSFET大两倍以上。    (3)饱和压降低    绝缘栅双极晶体管以耐压600V的IGBT为例，在10A~40A电流下，饱和压降UCE(sat)典型值仅1.6 V左右。有源面积0.1 cm²的IGBT，在Ic≥2A下，开通损耗比功率相当的有源面积为0.56 cm²的MOSFET还要小。    (4)安全工作区范围大    绝缘栅双极晶体管工作电压和工作电流范围大，击穿电压高，耐短路时间达10μs，在较高的瞬态功率下不会受损坏。    (5)开关速度快    绝缘栅双极晶体管IGBT的开关下降时间小于100 ns，最高开关频率达150 kHz以上，与MOSFET相当，即使在200 kHz的硬开关下，也可稳定工作。    (6)热阻小，散热能力和耐高温能力强    例如，绝缘栅双极晶体管用耐压600 V、芯片面积为0.654 cm²的MOSFET，管壳（体）温度可降低10℃，损耗降低5%以上。