变频技术
变频技术
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变频器中使用的双GTR是怎样构成的?
变频技术由于电力晶体管 GTR 在变频器中主要用于逆变桥,故生产厂家通常又将两个 GTR 集成在一起,制成双复合管模块方式,其内部典型结构如图 10-2 所示。也有将六个 GTR 集成在一起,制成六...
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怎样理解变频器中使用的GTR模块的额定功率比其
变频技术为了便于说明和理解,以某一款 UCE0=1200 V 、 ICM=300 A 的电力晶体管 GTR 为例,其额定功率只有 Pc=2 kW 。但如果按照电压与电流的乘积计算,则 Pc=1200300=360000=360 kW (1) 差别的原因 由此可见...
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PLC控制变频器实现对电动机多段速的调速控制
变频技术(1) 控制要求 在实际生产中,很多生产机械的正、反转运行,其速度需要经常改变。通过设置变频器参数,使用 PLC 对变频器进行控制就能达到目的。 图 5-18 所示是变频器实际中的运行...
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怎样理解变频器中使用的电力晶体管CTR的放大状
变频技术(1) 基极电流的计算 以单复合管 CTR 为例,其等效电路如图 10-3 所示。由于集电极电流的大小由基极电流确定,故有以下关系式 Ic=IB 上式中 Ic 单复合管 GTR 集电极电流,单位 A; GTR 复合管...
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变频器中使用的电力晶体管GTR基极驱动电路是怎
变频技术在变频器中,用于驱动控制电力晶体管 GTR 的基极电路的典型结构如图 10-7 所示。 图 10-7 GTR 的基极控制电路的典型结构示意图 图中的 VT3 即为 GTR 电力晶体管 GTR ,其前面的电路即为基...
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变频器干扰的来源
变频技术在各种工业控制系统中,随着变频器等电力电子装置的广泛应用,系统的电磁干扰 (EMI) 日益严重,相应的抗干扰设计技术 ( 即电磁兼容 EMC) 已经变得越来越重要。变频器系统的干扰有时...
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怎样理解变频器中使用的电力晶体管CTR的截止状
变频技术当加到单复合管 GTR 基极上的电流等于 0 时, GTR 进入截止状态,其等效电路如图 10-4 所示。此时 Ic ~ 0A (只有极小的泄露电流) UCE UC ( C 与 E 之间承受电源的全电压) 图10-4 单复合...
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变频器中使用的电力晶体管GTR基极驱动电路中,
变频技术(1) 截止饱和 为了保证晶体管尽快进入饱和状态,开始导通时的基极电流较大;当晶体管已经进入饱和状态时,为了便于在切换时容易退出饱和状态,故电路采用了适当减小基极电流的...
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变频器自身对外部的干扰
变频技术变频器的整流桥对电网来说是非线性负载,它所产生的谐波对同一电网的其他电子、电气设备产生谐波干扰。另外,变频器的逆变器大多采用 PWM 技术,当工作于开关模式且作高速切换...
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怎样理解变频器中使用的电力晶体管CTR的饱和导
变频技术当 IB UC/Rc 时,单复合管 GTR 进入饱和导通状态,其等效电路如图 10-5 所示。图中的虚线等效于连接短路线。 图 10-5 单复合管 GTR 饱和导通状态时的等效电路示意图 (1) GTR 的管压 单复合管...
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