单结晶体管移相触发电路由哪几部分组成，电路

单结晶体管移相触发电路由三个部分组成：脉冲形成环节、同步电压环节、移相控制环节。如图9-10所示为单结晶体管移相触发电路。

图9-10 单结晶体管移相触发电路

(1)同步电压环节

全波整流电压经过稳压管VZ削波后形成梯形波，它用做了单结晶体管的工作电源。因为梯形波与晶闸管电源相位同步，所以它又叫做同步电压，如图9-11所示。

图9-11 同步电压电路和各点的波形

①稳压管VZ的电压UZ的选择。Uz是单结晶体管的工作电压，考虑受单结晶体管允许电压的限制，一般选取Uz=12~25V。

②交流同步电源电压U2的选择。交流同步电源电压U2选大一些，梯形波较宽，脉冲移相范围也相应大一些。但U2的幅值越高削波损耗掉的越大。U2大小与移相范围之间的关系可用下式表示。

③限流电阻R的选择。R可按下式进行选择。

式中，Iz为稳压管的最大电流。

(2)脉冲形成环节

电源U2经整流稳压后通过R1和Rp对电容器C充电，当电压uc从0上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管EB1导通。电容C通过EB1和R3放电，形成尖脉冲由B1点输出（晶闸管控制极触发电压UG）。

根据经验，R2为温度补偿电阻，一般选取R2=300~400Ω。因为单结晶体管峰值电压UP随温度上升而减小，当温度上升时，R2不变，而B1～B2间的电阻增大，使得分到B1～B2的压降UB1B2比原来增大，相应UP也增大，从而使UP基本上保持不变。

一般选R3=50~100Ω，因为当单结晶体管没导通时，B1仍要流过一个电流，在这个电阻上要产生压降，如果这个电阻太大，容易引起晶闸管的误触发。

电容器一般选C=0.1～1.0MF。电容的大小与触发脉冲功率大小有关，电容小则储藏能量小，输出脉冲窄，触发不可靠。电容过大，则移相范围又会受到限制，这是因为RC时间常数的最小值决定最小控制角。C大，则R1要小，这会使流入单结晶体管的电流大于谷点电流而不能重复产生脉冲。

(3)移相控制环节

因为通过控制电位器Rp的阻值，就可以改变电容C充电电流的大小和快慢，得到尖脉冲的相位也就相应改变，使晶闸管的导通角α也相应的变化，所以电位器Rp是用来实现移相控制环节的。该环节的波形如图9-12所示。图9-12 (a)为Rp大，充电电流小的波形，图9-12 (b)为Rp小，充电电流大的波形。电阻R1较大会使电容C的充、放电电流减小，R1较小则会使流入单结晶体管的电流大于谷点电流而不能重复产生脉冲。根据经验，一般R1在2～10kΩ之间选择。如果知道单结晶体管的谷点电压Uv和谷点电流凡，可根据下面的公式来计算R1的阻值。

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图9-12 移相控制环节电压波形

晶闸管调速器一般由主电路、励磁回路、给定回路、触发脉冲电路、测速反馈部分及保护环节等组成。