MOS型晶闸管(MCT)简介

    MCT (MOS-Controlled Thyristor)是利用晶闸管高电压大电流的技术与MOS技术结合而形成的一种复合型器件。MCT的典型结构是在VS结构中集成一对MOSFET，通过MOSFET来开通和关断VS。图3-20为P沟道MCT的等效电路。由图可见，MCT由双门极进行控制。图的右下方是MCT的电路符号。

   MCT具有电压高、电流容量大的特点，阻断电压已达3000 V，峰值电流达1000 A，最大可关断电流密度为6000 A/cm²，并且开关速度快，开关损耗小，是一种很有前途的大功率开关器件。

    图3-20    P-MCT的等效电路

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