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变频器中使用的电力晶体管GTR缓冲电路中,GTR管
来源:艾特贸易2017-06-04
简介在变频器中,电力晶体管 GTR 的缓冲电路典型结构如图 10-9 所示,由 VT1 与 VT2 各组成一路缓冲电路,两组电路的工作原理基本相同。下面以 VT1 组成的这一组电路为例来说明缓冲电路的
在变频器中,电力晶体管GTR的缓冲电路典型结构如图10-9所示,由VT1与VT2各组成一路缓冲电路,两组电路的工作原理基本相同。下面以VT1组成的这一组电路为例来说明缓冲电路的工作原理。 (1) VT1饱和→截止 当VT1管从饱和状态转变为截止状态时,其集电极与发射极之间的电压将由近似于OV迅速上升为Ucc (≈513 V),这样高的电压变化率会使后级的电力晶体管GTR损坏。 为了减小上述的电压变化率,图10-9所示电路中设置了缓冲电容器C1,利用该电容上的电压不会突变的特点,来减缓UCE的上升率。 (2) VT1截止→饱和 在VT1管截止期间,C1电容器上的电压被充到近似于513 V左右。一旦VT1管重又转变为饱和导通状态时,C1上的约513 V电压将直接对VT1管放电,由此会形成较大的冲击电流,足以导致后级的电力晶体管GTR损坏。 为了减小上述的放电冲击电流,图10-9所示电路中在放电回路中设置了限流电阻器R1。不过,由于限流电阻器R1的接入,会直接影响C1电容减缓UCE上升率的作用,为了解决这一矛盾,电路中又设置了一个VD01二极管与R1电阻并联。由于二极管具有钳位作用,故当VT1由饱和转变为截止状态时,C1电容器减缓电压变化率的作用不会受到影响;而当VT1从截止转变为饱和导通状态时,C1电容器的放电电流就会被Ri电阻器减弱。 (3)需要说明的问题 图10-9所示仅是缓冲的电路一种基本应用方式,实际的缓冲电路常在此基础上进行了许多改进或补充,这里不再赘述。 图10-9 电力晶体管GTR的缓冲电路典型结构