变频器电力电子器件中功率场效应晶体管(MOSFET

    ①结构和工作原理  功率场效应晶体管（P-MOSFET，以下简称MOSFET-Mctal Oxide Semiconductor Field Effect Tran-Slstor)与BJT不同，它是一种单极（性）型的电压控制器件。图1-30 (a)是N沟道MOSFET的结构示意图，图1-30 (b)是其电路图符号，图中G为栅极，S为源极，D为漏极。
    图1-30    N沟道MOSFET的结构和符号    MOSFET的工作原理可用图1-31所示的模拟结构来说明：女口图1-31 (a)当栅极(G)电压为零(UGS=0)时，器件的漏极(D)与源极(S)之间的PN结为反偏状态，故MOSFET处于截止态。如图1-31 (b)在G加上正向电压(UGS>0)，且UDS亦为正向电压，则栅极下面将形成耗尽区，并出现多余负电荷，P基片的表面由P反型成为N型，这个反型层称为N沟道。此时电子从源极向漏极移动形成漏极电流ID，MOSFET处于导通态。根据沟道的不同，MOSFET可分为N沟道和P沟道两种。如图1 31(c)，若在G、S间加上反向电压(UGS<0)则DS间恢复阻断状态。    ②主要参数其见表1-4。
    图1-31    MOSFET的模拟结构图    表1-4    主要参数
    ③使用注意事项。MOSFET器件应采取抗静电包封装，置于导电材料制成的容器内。取用器件时，应拿壳体而不是导线部位。    当栅一源极间阻抗过高时，UDS的突变会耦合到栅极，产生相当大的过压尖锋，将使栅极氧化层损坏。解决的办法是适当降低栅极驱动电路的阻抗，并要特别防止栅极开路工作。    当器件接有感性负载（例如，电磁线圈或电动机）时，有关断时会引起漏极电流的突变而烧坏管子。因此，过电流保护方面必须完善。