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变频器电力电子器件中双极晶体管(BJT)简介
来源:艾特贸易2017-06-04
简介①结构。 BJT (Bipolar Junction Transistor) 亦称巨型晶体管 GTR (Giant Transistor) 。它是一种大功率的双极型高反压晶体管,其结构如图 1 24 所示。它的基本特征与一般 NPN 型三极管相似,需在基极
①结构。BJT (Bipolar Junction Transistor)亦称巨型晶体管GTR (Giant Transistor)。它是一种大功率的双极型高反压晶体管,其结构如图1 24所示。它的基本特征与一般NPN型三极管相似,需在基极提供一定的电流才能正常工作。在电力电子应用中,BJT主要工作于开关状态,即用于截止和饱和导通状态,并要求有大容量(高压、大电流)、适当的增益、较高的开关速度和较低的功耗等。故在电力电子应用的BJT结构上都采用达林顿形式,即由多个晶体管复合组成大功率晶体管,以有效地提高电流增益和器件容量。 图1-24 BJT的结构示意图 目前,在通用变频器中普遍使用的是一种模块型电力晶体管。其特点一是把续流二极管、加速二极管和达林顿BJT组装成一个单元,二是把BJT的三个极与散热片隔离,也就是使散热片上不带电,使变频器的散热更均匀,结构更趋于小型化,性能价格比大大提高。图1-25所示为由两只三极达林顿管BJT及辅助元件构成的单桥式BJT模块的等效电路。
图1-25 BJT模块的等效电路 为了方便使用,使变频器集成度更高,体积更小,BJT模块做成一单元结构、二单元结构、四单元结构和六单元结构。不同单元的简化结构如图1-26所示。目前BJT的容量范围已达到450V/30A~1500V/800A。
图1-26 BJT模块的不同结构 ②BJT的主要参数 a.开路阻断电压UCEO。开路阻断电压一般以基极开路CE极间能承受的电压UCEO代表,它体现了BJT的耐压能力。在通用变频器中,为保证工作可靠,选用元器件容量时常留有一定余地,例如,用于220V交流电网时BJT选600V等级,用于360V交流电网时BJT大多使用1200V等级。 b.集电极最大持续电流Ic。集电极最大持续电流是当基极正偏置时,集电极能流入的最大电流。 开路阻断电压和集电极最大持续电流体现了BJT的容量。 c.电流增益hFE。电流增益有时亦称为电流放大倍数,定义为集电极电流与基极电流的比值.即 hFE=Ic/IB (1-3) 在变频器中,BJT是当作开关器件来使用的,因此,集电极电流Ic≤hFEIB,其实际值取决于具体电路结构。hFE是一个重要参数,它的值越大,管子驱动电路功率越小。对于单管BJT来说,hFE=70~100,当使用温升提高后,hFE略有下降。 d.开关频率。在BJT的使用说明中,并不直接给出开关频率这个参数.而是间接给出开通时间ton、存储时间ts和下降时间tf,通过这些数据估算出BJT的工作频率。 由于BJT不是理想开关器件,其内部PN绪处电荷的聚集和扩散需要一定的过渡过程。图1-27给出BJT在阻性负载时的典型开关过程。当基极电流IB1为正向阶跃信号,经过一段时间td延迟后,UBE才能上升到饱和值UBES,同时,集电极一发射极电压UCE将从100%下降到90%,td称为延迟时间。以后UCE迅速降至10%,而Ic则上升到稳态值的90%,这段时间定义为上升时间tr,而开通时间ton是延迟时间td和上升时间tr之和,即 ton=td+tr (1-4) 当BJT关断时,为加快关断,常在基极加上反向阶跃信号IB2。由图可见,从反向基流注入开始,到UCE上升到10%的时间称为存储时间ts。然后,UCE继续上升到90%,IC下降到10%,这段时间称为下降时间tf,则BJT的关断时间toff是这两部分之和,即 toff=ts+tf (1-5) ③BJT的驱动电路。由于驱动电路对BJT的使用至关重要,因此市场上已提供专门的驱动模块用于BJT的驱动。下面仅以EXB357为例介绍其性能和使用方法。EXB357驱动模块的电性能见表1-3。
图1-27 BJT开关运行的波形 表1-3 EXB357驱动模块的电性能
EXB357的外形如图1-28所示,其应用电路如图1-29所示。其引脚为单列直插结构,使用条件如下:
图1-28 EXB357驱动模块外形图
图1-29 EXB357驱动模块应用电路图 壳体温度 Tc=-10~58℃ 关断电流 小于400A 驱动电源Ucc=UEE=8.5V 功放管VT1和VT2型号ZSB757,平衡电阻R=0.09Ω