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变频器中绝缘栅双极晶体管的特点

来源:艾特贸易2017-06-04

简介绝缘栅双极晶体管的主要特点表现在以下几个方面。 1 .输入阻抗高 绝缘栅双极晶体管输入阻抗高,栅极驱动功率极小,驱动电路也很简单。 2 .电流密度大 绝缘栅双极晶体管芯片面

    绝缘栅双极晶体管的主要特点表现在以下几个方面。    1.输入阻抗高    绝缘栅双极晶体管输入阻抗高,栅极驱动功率极小,驱动电路也很简单。    2.电流密度大    绝缘栅双极晶体管芯片面积比MOSFET小一倍多的IGBT,电流容量比同样耐压的MOSFET大两倍以上。    3.饱和压降低    绝缘栅双极晶体管以耐压600 VIGBT为例,在10 A~40A电流下,饱和压降UCE(sat)典型值仅1.6 V左右。有源面积0.1 cm2IGBT,在Ic2 A下,开通损耗比功率相当的有源面积为0.56 cm2MOSFET还要小。    4.安全工作区范围大    绝缘栅双极晶体管工作电压和工作电流范围大,击穿电压高,耐短路时间达10μs,在较高的瞬态功率下不会受损坏。    5.开关速度快    绝缘栅双极晶体管IGBT的开关下降时间小于100 ns,最高开关频率达150 kHz以上,与MOSFET相当,即使在200 kHz的硬开关下,也可稳定工作。    6.热阻小,散热能力和耐高温能力强    例如,绝缘栅双极晶体管用耐压600 V、芯片面积为0.654 cm2MOSFET,管壳(体)温度可降低10℃,损耗降低5%以上。