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变频器中绝缘栅双极晶体管结构特点

来源:艾特贸易2017-06-04

简介一、绝缘栅双极晶体管结构特点 绝缘栅双极晶体管简称 IGBT ,是由美国 RCA 和 GE 公司于 1982 年发明的新型半导体功率器件,是一种电力电子开关器件,在电力电子产品中应用越来越广泛

    一、绝缘栅双极晶体管结构特点    绝缘栅双极晶体管简称IGBT,是由美国RCAGE公司于1982年发明的新型半导体功率器件,是一种电力电子开关器件,在电力电子产品中应用越来越广泛,例如交流电动机调速变频器、中大功率开关电源、不间断电源、电焊机逆变电源、电子镇流器等。    绝缘栅双极晶体管是一种集双极型晶体管(BJT)的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高频、高速大功率半导体器件。    绝缘栅双极型晶体管简称IGBT,是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)组合在一起而形成的。它的主体部分与GTR相同,也有集电极(C)和发射极(E),而控制极的结构与MOSFET相同,为绝缘栅结构,也称为栅极(G),如图1-18所示。
绝缘栅双极型晶体管结构示意图
    1-18    绝缘栅双极型晶体管结构示意图    二、绝缘栅双极晶体管的类型    绝缘栅双极晶体管根据其结构主要分为N沟通IGBTP沟通IGBT两大类,是一种采场效应管作为推动管,大功率晶体管作为输出管的特殊电力电子器件。