变频器中VMOS场效应管简介

    VMOS场效应管全名为垂直型金属氧化物一半导体场效应晶体管，即V-MOSFET，简称为VMOS管。    1．VMOS场效应管的结构和电路图形符号    VMOS管是一种功率型场效应管，其结构如图1-14 (a)所示。电路图形符号有两种画法，第一种带保护稳压二极管的VMOS场效应管，电路图形符号如图1-14 (b)所示；另一种不带保护稳压二极管的电路图形符号如图1-14 (c)所示。
    图1-14    VMOS场效应管结构及电路图形符号    2．VMOS场效应管的特点    从图1-14 (a)所示电路可知，VMOS管特点为具有V形槽结构和垂直导电性，不仅具有一般MOS场效应管固有的输入阻抗高、电压驱动等优点，而且还具有耐压高（最高耐压可达1200V）、工作电流大（15~100A）、输出功率大（1~250W）、开关速度快、跨导线性好等特点。该类管作为高放、节能型功率开关器件，广泛应用在电动机驱动、开关电源、继电器驱动、打印机、转换器电源等电子设备和自动控制电路中。    从图1-14 (a)所示可知，VMOS管内部已是一层很薄的SiO2膜，故栅—源极之间耐压为30～50 V，一旦击穿，将使其永久性损坏。因此，对于图1-14 (c)所示的这种不带保护稳压二极管的VMOS管，在使用时应在其栅一源极之间加接一只稳压值为10 V左右的齐纳二极管，以保护其免受损坏。