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变频器中VMOS场效应管简介
来源:艾特贸易2017-06-04
简介VMOS 场效应管全名为垂直型金属氧化物一半导体场效应晶体管,即 V-MOSFET ,简称为 VMOS 管。 1 . VMOS 场效应管的结构和电路图形符号 VMOS 管是一种功率型场效应管,其结构如图 1-14 (a)
VMOS场效应管全名为垂直型金属氧化物一半导体场效应晶体管,即V-MOSFET,简称为VMOS管。 1.VMOS场效应管的结构和电路图形符号 VMOS管是一种功率型场效应管,其结构如图1-14 (a)所示。电路图形符号有两种画法,第一种带保护稳压二极管的VMOS场效应管,电路图形符号如图1-14 (b)所示;另一种不带保护稳压二极管的电路图形符号如图1-14 (c)所示。 图1-14 VMOS场效应管结构及电路图形符号 2.VMOS场效应管的特点 从图1-14 (a)所示电路可知,VMOS管特点为具有V形槽结构和垂直导电性,不仅具有一般MOS场效应管固有的输入阻抗高、电压驱动等优点,而且还具有耐压高(最高耐压可达1200V)、工作电流大(15~100A)、输出功率大(1~250W)、开关速度快、跨导线性好等特点。该类管作为高放、节能型功率开关器件,广泛应用在电动机驱动、开关电源、继电器驱动、打印机、转换器电源等电子设备和自动控制电路中。 从图1-14 (a)所示可知,VMOS管内部已是一层很薄的SiO2膜,故栅—源极之间耐压为30~50 V,一旦击穿,将使其永久性损坏。因此,对于图1-14 (c)所示的这种不带保护稳压二极管的VMOS管,在使用时应在其栅一源极之间加接一只稳压值为10 V左右的齐纳二极管,以保护其免受损坏。