场效应管有哪些主要参数

    1．最大漏极电流IDM  是允许连续运行的最大漏极电流。

    2．击穿电压UDS  在截止状态下，漏极与源极之间的最大维持电压。

    3．导通电阻RON  是MOSFET在饱和导通时，D-S间的电阻值。RON具有正温度系数，即电流越大，RON的值也因温度的升高而增大。所以，VM具有自动抑制电流的能力。

    4．阀值电压UGS  能够使MOSFET导通的最低栅极电压。实际使用时，所需栅极电压应为UGS的1.5~2.5倍。在多数情况下，栅极电压都设计为15V。

    5．开关频率  MOSFET的开关频率比GTR高1~2个数量级，最高可达500kHz以上。