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IGBT的驱动电路有什么特点
来源:艾特贸易2017-06-05
简介IGBT 对驱动信号的要求与 MOSFET 基本相同,其驱动电路基本上都已经模块化。今以 EXB850 模块为例,其内部电路及引脚安排如图 10-28a 所示,外接电路如图 b 所示。今说明其工作过程如下
IGBT对驱动信号的要求与MOSFET基本相同,其驱动电路基本上都已经模块化。今以EXB850模块为例,其内部电路及引脚安排如图10-28a所示,外接电路如图b所示。今说明其工作过程如下:
当晶体管V3的基极得到驱动信号时,V3导通,引脚(15)与(14)之间的光耦合管导通,放大器AMP的输出为“+”,晶体管V1导通,控制电源的“+”极从引脚(2)进入,经V1、引脚(3)接至IGBT的栅极。同时,IGBT的发射极经引脚(1)、稳压管VS、引脚(9)接至控制电源的“0V”端。IGBT因G、E间得到正电压而导通。这时,电容器C2上的充电电压是上“+”下“-”,电压大小取决于稳压管VS。
当驱动信号撤消后,V3截止,引脚(15)与(14)之间的光耦合管也截止,AMP的输出为“-”,V1截止,而V2导通。这时,IGBT的栅极G经引脚(3)、V2、引脚(9)与电源的“0V”相接,而发射极E则与电容器C2的正端相接,IGBT的G、E间得到负偏压,IGBT迅速截止。
图10-28 ICBT的驱动模块
a)内部电路示意图;b)外接电路概况