您现在的位置是：首页 > 变频技术 > 变频技术
变频器中IGBT进入放大状态
来源：艾特贸易2017-08-10
简介IGBT 实例：击穿电压 UCEX=1200V ；漏电流 ICEX=1.0mA ； 集电极最大电流 ICM=100A ；饱和压降 UCES=2.6V ； 额定功耗 Pc=600W 。 饱和导通的功耗：驱动电压为 +15V ， IGBT 饱和导通，功耗为 Pc=260W ，
IGBT实例：击穿电压UCEX=1200V；漏电流ICEX=1.0mA；
集电极最大电流ICM=100A；饱和压降UCES=2.6V；
额定功耗Pc=600W。
饱和导通的功耗：驱动电压为+15V，IGBT饱和导通，功耗为Pc=260W，小于额定功耗。
截止状态的功耗：驱动电压为-5V.IGBT截止，功耗Pc=0.5W。
放大状态的功耗：驱动电压为+5V时，IGBT处于放大状态，功耗Pc=12.6kW，远大于额定功耗，IGBT迅速损坏。
图8-20 驱动不足的后果
a)输出不平衡b）IGBT饱和c）IGBT截止d）IGBT放大
