功率MOSFET正激式驱动电路工作原理

    电路原理如图1-9 (a)所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。

    其等效电路图如图1-9(b)所示，二次侧并联一电阻R1，它作为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知，占空比D越小、R1越大、L越大，磁化电流越小，U1值越小，关断速度越慢。该电路具有以下优点：

    图1-9    正激驱动电路

   (a)电路原理图；(b)等效电路

   a)电路结构简单可靠，实现了隔离驱动。

   b)只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。

   c)占空比固定时，通过合理的参数设计，此驱动电路也具有较快的开关速度。

    该电路存在的缺点：一是由于隔离变压器二次侧需要一个假负载防振荡，故电路损耗较大；二是当占空比变化时关断速度变化较大。脉宽较窄时，由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢。

（作者稿费要求：需要高清无水印文章的读者3元每篇，请联系客服，谢谢！在线客服：）