功率MOSFET的结构

    功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1-1所示。其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

    图1-1    功率MOSFET的结构和电气图形符号

   (a)内部结构断面示意图；(b)电气图形符号

    按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的WMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double - diffused MOSFET），本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。

    功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司(International Rectifier)的HEXFET采用了六边形单元；西门子公司( Siemens)的SPMOSFET采用了正方形单元；摩托罗拉公司(Motorola) 的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列。

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