变频技术

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• 三电平PWM变频电源的主电路拓扑结构

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  采用三电平 PWM 方式的变频电源，可以避免器件串联的动态均压问题，同时降低输出谐波和 du/dt ，三电平 PWM 方式整流电路采用二极管，逆变部分功率器件采用 GTO 、 IGBT 或 IGCT 。每个桥...

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• 变频电源中功率MOSFET的工作原理

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  截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P 基区与 N 漂移区之间形成的 PN 结 J1 反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压 UGS ，栅极是绝缘的，所以不会有栅极...

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• 变频电源中IGBT的基本特性

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  在通态中， IGBT 可以按照第一近似和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极和阳极之间的压降不超过 0.7V ，即使栅信号让 MOSFET 沟道形成，集电极电流 Ic 也无法流通。当沟道上的电...

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• 变频电源的非智能控制方式

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  在交流变频电源中使用的非智能控制方式有 U/F 协调控制、转差频率控制、矢量控制、直接转矩控制等。低压通用变频输出电压在 380~ 650V ，输出功率在 0.75~ 400kW ，工作频率在 0 ～ 400...

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• 变频电源中功率MOSFET的基本特性

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  (1) 静态特性。 MOSFET 的转移特性和输出特性如图 1-2 所示。 图 1-2 电力 MOSFET 的转移特性和输出特性 (a) 转移特性； (b) 输出特性 漏极电流 ID 和栅源间电压 UGS 的关系称为 MOSFET 的转移特...

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• 变频电源中IGBT的动态特性

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  动态特性是指 IGBT 在开关期间的特性。鉴于 IGBT 的等效电路，要控制这个器件，必须驱动 MOSFET 元件。这就是说， IGBT 的驱动系统实际上应与 MOSFET 的相同，而且复杂程度低于双极驱动系...

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• 变频电源的智能控制方式

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  智能控制方式主要有神经网络控制、模糊控制、专家系统、学习控制等。目前在变频电源的控制中采用智能控制方式在具体应用中已有一些成功的范例。 (1) 神经网络控制。神经网络控...

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• 变频电源中功率MOSFET动态性能的改进

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  在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来...

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• 变频电源中IGBT的开通过程

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  IGBT 的开通过程与 MOSFET 的相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行，如图 1.18 所示。 开通延迟时间 td(on) ：从 UGE 上升至其幅值 10% 的时刻，到 ic 上升至 10%ICM 。 电流上...

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• 变频电源中降低高压MOSFET导通电阻的原理与技术

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  在功率半导体器件中， MOSFET 以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域， MOSFET 没有竞争对手，但随着 MOS 的耐压提高，导通...

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