变频技术

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• 变频电源中IGBT的关断过程

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  关断延迟时间 td(off) ：从 UGE 后沿下降到其幅值 90% 的时刻起，到 ic 下降至 90%ICM 。 电流下降时间： ic 从 90%IcM 下降至 10%ICM 。 关断时间 toff ：关断延迟时间与电流下降时间之和，电流...

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• 变频电源中SA866DE的特点及工作原理

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  脉宽调制 ( PWM) 技术广泛应用在交流电动机调速、开关电源、不间断供电 (UPS) 等领域。其中 PWM 信号的产生是关键。随着电力电子技术的不断发展和电力电子产品的不断更新，其生成方...

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• 变频电源中内建横向电场MOSFET的主要特性

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  (1) 导通电阻的降低。 INFINEON 的内建横向电场的 MOSFET ，耐压 600V 和 800V ，与常规 MOSFET 器件相比，相同的管芯面积，导通电阻分别下降到常规 MOSFET 的 1/5 、 1/10 ；相同的额定电流，导通...

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• 变频电源中IGBT的主要参数

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  IGBT 的特性和参数特点如下：开关速度高，开关损耗小。在电压 1000V 以上时，开关损耗只有 GTR 的 1/10 ，与功率 MOSFET 相当；相同电压和电流定额时，安全工作区比 GTR 大，且具有耐脉冲...

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• 变频电源中SA866DE工作原理

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  1) PWM 产生逻辑。 PWM 发生器是实现脉冲序列的核心，脉冲调制信号是通过比较输入参考波形和高频载波得到的。 SA866DE 采用异步不对称规则采样的调制方法， SA866DE 的工作波形图如图...

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• 变频电源中关于内建横向电场高压MOSFET发展现状

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  继 INFINEON 1988 年推出 COOLMOS 后， 2000 年初 ST 推出 500V 类似于 COOLMOS 的内部结构，使 500V ， 12A 的 MOSFET 可封装在 TO - 220 管壳内，导通电阻为 0.35 ，低于 IRFP450 的 0.4 ，电流额定值与 IRF...

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• 变频电源中IGBT的擎住效应和安全工作区

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  擎住效应或自锁效应： NPN 晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻， P 形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对 J3 结施加正偏压，一旦 J3 开通，栅极就会失去对集电...

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• 采用SA866DE芯片的变频调速驱动装置设计

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  图 4-4 为采用 SA866DE 芯片设计的一套简单实用的变频调速驱动装置原理图。如图 4-4 所示，系统采用外接 EEPROM 方式，所选 EEPROM 为 Atmel 公司生产的 AI93 LC46 ，所有的可编程参数均存在...

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• 变频电源中COOLMOS与IGBT的比较

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  600 、 800V 耐压的 COOLMOS 的高温导通压降分别约 6 、 7,5V ，关断损耗降低 1/2 ，总损耗降低 1/2 以上，使总损耗为常规 MOSFET 的 40%~ 50% 。常规 600V 耐压 MOSFET 导通损耗占总损耗约 75% ，对应...

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• 变频电源中IGBT的驱动电路

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  功率器件的不断发展，使得其驱动电路也在不断地发展，相继出现了许多专用的驱动集成电路。 IGBT 的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同...

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