变频技术

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• 变频电源中典型器件特性

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  下面介绍瑞士 ABB 公司 5SHY351A502 器件的通断特性和在关断状态下的典型参数。 1 ．通态特性 5SHY35L4502 中的 GCT 在给定的阻断电压范围内 (4.5kv) 的通态压降较低。它具有晶闸结构的通态特...

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• 怎样掌握变频功率模块故障的检修技术方法？

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  如果在变频器工作状态时，其他正常，但电动机不能启动工作。此时，可用万用表的交流电压挡检测功率模块 UVW 两端上有无电压，对于应用于变频空调上的变频器，一般交流电压在...

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• 变频电源中IGCT应用

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  为了便于 IGCT 与 GTO 、 IGBT 的应用比较，下面从使用角度对三种 3.3kV 器件的部分特性进行了粗略的比较见表 1-11 。可见， IGCT 兼有 GTO 、 IGBT 两者的优点。 IGCT 的应用情况可从可靠性、...

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• 怎样掌握检测变频模块组件好坏的技术方法？

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  对于变频模块的好坏，也可以在静态情况下检测功率模块各端脚之间的电阻值。可拆下功率模块的组件上的 + 、 - 、 U 、 V 、 W 端脚，然后采用万用表 R 100 挡按顺序检测其各端脚之间的...

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• 变频电源中IEGT的结构

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  在国民经济的基础工业部门，如交通、钢铁、电力等领域中，其高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前，这类高压变频器仍是 GTO 和光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器...

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• 怎样判断单向晶闸管的好坏？

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  (1) 测量阳极 A 与阴极 K 用万用表 R 1k 挡测量普通晶闸管阳极 A 与阴极 K 之间的正、反向电阻值，正常时均应为无穷大 ( ) ；若测得 A 、 K 之间的正、反向电阻值为零或电阻值均较小，则...

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• 变频电源中IEGT的工作原理

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  图 1-30 (a) 所示是 IEGT 的一单胞，为沟槽型结构，电子、空穴电流的流动如图中箭头。空穴从整个宽的 N 基区被挤到夹于两窄槽间的 N 沟道区，通过连接阴极电极的 P 层流向阴极。这一路...

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• 怎样采用数字式万用表测量单向晶闸管？

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  用数字万用表测量单向晶闸管时，以 2P4M 管为例，如图 10-26 所示。根据单向晶闸管的结构特点，其栅极与阴极相当于一个正向导通的二极管，具体测量方法如下。 图 10-26 测量单向晶闸...

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• 变频电源中IEGT的有关特性

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  (1) IEGT 的通态特性。采用适当的 MOS 栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。如果采用槽型结构，则沟道的迁移率增大。该槽栅越深，促进电子注...

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• 怎样采用晶体管图示仪测量普通晶闸管的维持电

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  图 10-27 所示是采用晶体管图示仪测量晶闸管维持电流电路，以 DW4822 型图示仪为例，具体检测方法如下。 图 10-27 用晶体管图示仪测量晶闸管维持电流电路 (1) 图示仪的旋钮设置 扫描电...

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