变频技术

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• 变频电源中IEGT的关键技术

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  制作 IEGT 与制造 DRAM 存储器相类似，使用很精细的亚微米器件工艺。传统的功率器件制造工艺中，为了实现高耐压，需要在 60~ 100 m 的深度进行精细的 Ga 或 A1 的扩散，相应地开发了高压...

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• 怎祥采用普通指针式万用表判断门极可关断晶闸

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  门极可关断晶闸管三个电极的判别方法和普通晶闸管基本相同，也是采用万用表的 R 100 挡，先找出具有二极管特性的两个引脚，此时，在电阻值小的那次测量中，红表笔连接的引脚即为...

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• 变频电源中浪涌电路省略技术

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  众所周知， GTO 元件对 du/dt 十分敏感，每一个 GTO 元件都需设置专用的浪涌电路，其浪涌电容值为 4~ 6 F 。为了提高系统的效率还需考虑浪涌能量的再生等问题，因此就使得主回路的元器...

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• 怎样采用普通指针式万用表判断门板可关断晶闸

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  门极可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管的判断方法基本相同，具体方法简述如下。 (1) 给 G 极加上正向触发信号 检测门极可关断晶闸管的关断能力时，应先按检测触发能力...

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• 变频电源中IEGT栅控电路的改进

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  IEGT 的栅极驱动特性，基本上和 IGBT 相同是属于 MOS 型的电压控制，完全可以采用成熟的 IGBT 相控电路进行控制。即加上 +15V 时导通，加上 -15V 时关断。但对于高压大容量的装置来说，小...

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• 怎样采用普通指针式万用表判断门极可关断晶闸

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  在上述采用普通指针式万用表判断门极可关断晶闸管的触发能力状态下，再在晶闸管的门极 G 与阳极 A 极之间加上反向触发信号，如图 10-30 所示。若此时 A 极与 K 极之间的电阻值由低电...

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• 怎样采用指示灯判断门极可关断晶闸管的触发能

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  (1) 检测电路 采用指示灯判断触发能力与关断能力的连接电路如图 10-31 所示，图中的 HL 为 6.3 V 的小电珠指示灯， SA 为单刀双三掷开关， VS 为被检测的晶闸管。 图 10-31 采用指示灯判断...

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• 在维修变频器更换绝缘栅双极型晶体管IGBT时，怎

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  IGBT 管为 MOS 结构，对静电十分敏感，处理不好也会引起 IGBT 管子的损坏，故在使用与维修中还应注意以下几点。 (1) 焊接方面 一定要在整机电路板良好接地线的情况下才进行 IGBT 管的更...

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• 变频器中使用的电力晶体管GTR缓冲电路中，GTR管

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  在变频器中，电力晶体管 GTR 的缓冲电路典型结构如图 10-9 所示，由 VT1 与 VT2 各组成一路缓冲电路，两组电路的工作原理基本相同。下面以 VT1 组成的这一组电路为例来说明缓冲电路的...

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• 怎样检测变频器中使用的普通晶阐管短路故障？

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  变频器中的晶闸管在使用过程中，如果出现阳极、阴极之间永久性的短路故障，一般将会使快速熔断器熔断，借用万用表测量阳极、阴极之间的电阻值很容易判断这种故障。...

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