变频电源中IGBT的开通过程

    IGBT的开通过程与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行，如图1.18所示。    开通延迟时间td(on)：从UGE上升至其幅值10%的时刻，到ic上升至10% ICM。    电流上升时间tr：ic从10% ICM上升至90% ICM所需时间。
    图1-18    IGBT的开关过程    开通时间ton：开通延迟时间与电流上升时间之和，UCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。    tfv1：IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程。    tfv2：MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。