绝缘栅双极型晶体管的基本特点有哪些

    1．结构特点  绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)相结合的产物。其主体部分与GTR相同，也有集电极(C)和发射极(E)，而控制极的结构却与MOSFET相同，是绝缘栅结构，也称为栅极(G)，如图10-26a所示。

    图10-26    IGBT的基本特点

   a)结构特点b）基本电路

    2．工作特点

   (1)控制部分  控制信号为电压信号uGE，栅极与发射极之间的输入阻抗很大，故信号电流与驱动功率（控制功耗）都很小。

    图10-27    IGBT模块

   a)双管模块b）六管模块

   (2)主体部分  因为与GTR相同，额定电压与电流容易做得较大，故在中小容量的变频器中，IGBT已经完全取代了GTR。

    就是说，IGBT是一种以极小的控制功率来控制大功率电路的器件。

    变频器所用的IGBT管，通常已经制作成各种模块，如图10-27b所示。图a是双管模块，图b是六管模块。