变频器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)简介

    绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种复合型三端电力半导体器件，产品外形如图1-13所示。它将MOSFET与GTR的优点集于一身，具有输出特性好、开关速度快、工作频率高等特点，一般可达到20kHz以上，通态压降比MOSFET低，输入阻抗高，耐压、耐流能力比MOSFET和GTR有所提高，最大电流可达1800A，最高电压可达4500V。在中小容量变频器电路中，IGBT的应用非常广泛。

    图1-13    绝缘栅双极型晶体管外形

    绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的上述优点，使它用于变频器比BJT（GTR）有更大的吸引力、更广泛的应用领域，目前已成为通用变频器大功率开关电源、逆变器等电力电子装置的理想功率器件。