变频技术

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• 中压变频电源的二极管钳位型级联多电平变换电路

  变频技术

  在全桥级联式多电平逆变技术中，如果全桥基本电路单元采用的是中性点钳位式全桥逆变器，就可以实现基于中性点钳位式的级联式多电平逆变技术，如图 2-13 所示。由其构成原理可以...

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• MM440/420变频器简介

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  西门子的 MicroMaster440/420( 以下简称为 MM440/420) 变频器是用于三相交流电动机调速的系列产品，由微处理器控制，采用绝缘栅双极性晶体管 (IGBT) 作为功率输出部件，具有很高的运行可靠...

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• 中压变频电源的功率母线技术

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  在电力电子技术及应用装置向高频化发展的今天，系统中特别是连接线的寄生参数产生巨大的电应力，已成为威胁电力电子装置可靠性的重要因素，从直流储能电容至逆变器的器件之间...

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• 初识变频器

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  变频器一般是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。变频器有着“现代工业维生素”之称，在节能方面的效果不容忽视。随着各界对变频器节能技...

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• 功率器件串联二电平电流型中压变频器

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  将功率器件直接串、并联使用，是满足系统容量要求的一个简单直观的办法，直接串联的变频器拓扑结构如图 2-1 所示，图 2-1 中电网高压直接经高压断路器进入变频电源，经过高压二极...

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• 交-直-交变频调速的原理

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  交 - 直 - 交变频调速的原理如图 8-4 所示， 交 - 直 - 交 变频调速就是变频器先将工频交流电整流成直流电，逆变器在微控制器（如 DSP ）的控制下，将直流电逆变成不同频率的交流电。...

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• IEGT的有关特性

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  (1) IEGT 的通态特性。采用适当的 MOS 栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入 N 层的电子电流也相应增加。如果采用槽型结构，则沟道的迁移率增大。该槽栅越深，促进电子注...

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• IEGT的关键技术

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  制作 IEGT 与制造 DRAM 存储器相类似，使用很精细的亚微米器件工艺。传统的功率器件制造工艺中，为了实现高耐压，需要在 60~ 100 μ m 的深度进行精细的 Ga 或 Al 的扩散，相应地开发了高...

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• IEGT的浪涌电路省略技术

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  众所周知， GTO 元件对 du/dt 十分敏感，每一个 GTO 元件都需设置专用的浪涌电路，其浪涌电容值为 4~ 6 μ F 。为了提高系统的效率还需考虑浪涌能量的再生等问题，因此就使得主回路的元...

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• IGCT应用的可靠性

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  在实际应用中，可靠性是衡量电力电子装置的一个重要指标，装置中所用的分立元件数目越少，其可靠性就越高。可靠性一般用失效率 (FIT) 来表示， FIT 依赖于许多因素，如芯片数、键...

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