变频技术

变频技术

  • IEGT栅控电路的改进

    变频技术 IEGT栅控电路的改进

    IEGT 的栅极驱动特性，基本上和 IGBT 相同是属于 MOS 型的电压控制，完全可以采用成熟的 IGBT 相控电路进行控制。即加上 +15V 时导通，加上 - 15V 时关断。但对于高压大容量的装置来说，...

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  • IGCT应用的吸收电路和钳位电路

    变频技术 IGCT应用的吸收电路和钳位电路

    理想的开关既不需要吸收电路，也不需要钳位电路，并允许电流和电压能够快速变化。实际应用中，由于实际负载（如电动机）不可能接受这种运行方式，因此要求理想开关足够慢，以...

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  • 中压变频电源的主电路特点

    变频技术 中压变频电源的主电路特点

    目前，在低压变频电源方面，变频技术的运用已经比较成熟，但在中压方面，由于变频电源的核心器件——功率器件耐压能力所限，造成了现在的中压变频电源不像低压变频电源那样具...

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  • IGCT应用的功耗和频率

    变频技术 IGCT应用的功耗和频率

    任何半导体器件总的损耗都由其可行的冷却方式决定，总损耗包括开关损耗和通态损耗。通态损耗越低，留给开关损耗的“余量”就越大。 在无吸收的晶体管电路中，最高工作频率受开...

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  • 中压变频电源的主流器件

    变频技术 中压变频电源的主流器件

    中压变频电源一般要求输出电压为 3.3 、 6 、 10kV ，而现在生产的开关功率元件，开关频率高，损耗小的薪型元件，一般都是用 IGBT 、 IGCT 。以 IGBT 为例，元件最高耐压 3.3kV ，按变频电...

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  • IGCT应用的适用范围

    变频技术 IGCT应用的适用范围

    与 GTO 和 IGBT 相比， IGCT 具有损耗低、开关速度快、内部机械部件极少等特点，因而保证了 IGCT 有较低的成本和紧凑的结构，能可靠、高效地应用于各种驱动控制、静态无功补偿器 SVG...

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  • 中压变频电源的主流结构

    变频技术 中压变频电源的主流结构

    目前就中压大功率变频电源的主流结构为中-中方式及其派生的形式，中-中大功率变频电源按其中间直流环节的储能元件的不同，可分为电压源型和电流源型。但对于中压变频电源拓扑...

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  • IEGT基本概述

    变频技术 IEGT基本概述

    在国民经济的基础工业部门，如交通、钢铁、电力等领域中，其高压大容量变频器对可靠性的要求特别高。目前，这类高压变频器仍是 GTO 和光控晶闸管等大容量电流驱动型电力电子器...

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  • IEGT的结构

    变频技术 IEGT的结构

    新型大功率开关器件 IEGT 的基本单元结构及等效电路如图 1-30 所示。图 1-30 (a) 为 IEGT 的基本结构单元和阴极发射极附近的电子浓度分布。图 1-30 (b) 为等效电路，相当于 pin 二极管与 M...

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  • IEGT的工作原理

    变频技术 IEGT的工作原理

    图 1-30 (a) 所示是 IEGT 的一单胞，为沟槽型结构，电子、空穴电流的流动如图中箭头。空穴从整个宽的 N 基区被挤到夹于两窄槽间的 N 沟道区，通过连接阴极电极的 P 层流向阴极。这一路...

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