变频技术

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• IGBT的降低UCE(sat)技术

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  降低 UCE(sat) 技术是通过浓度、层的厚度及深度的最佳化来降低电阻部分。借助精细化，提高单位面积的电流密度。使 LG 与 LS 比达到最佳化，扩大 MOSFET 部的反型层（沟道）单位芯片面...

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• IGCT的逆导技术

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  GCT 大都制成逆导型，与非对称型结构不同，它可与优化的续流二极管 FWD 单片集成在同一芯片上。穿通型 GCT 的最小基区厚度与二极管相同，可承受相同的阻断电压。由于二极管和 GCT...

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• IGBT的动态特性

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  动态特性是指 IGBT 在开关期间的特性。鉴于 IGBT 的等效电路，要控制这个器件，必须驱动 MOSFET 元件。这就是说， IGBT 的驱动系统实际上应与 MOSFET 的相同，而且复杂程度低于双极驱动系...

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• IGBT的提高性能技术

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  击穿性能主要采取解决电场及电流集中以及寄生 NPN 晶体管工作的措施。抑制寄生 NPN 晶体管工作，抑制电场和电流集中，以提高击穿性能。...

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• IGCT的门极驱动技术

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  采用“硬驱动”技术， GCT 通过印刷电路版与门极驱动电路直接相连。 GCT 与门极驱动器相距很近 ( 两者之间的间距为 15cm) ，该门极驱动器可容易地装入不同的装置中，因此可认为该结...

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• IGBT的开通过程

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  IGBT 的开通过程与 MOSFET 的相似，因为开通过程中 IGBT 在大部分时间作为 MOSFET 运行，如图 1-18 所示。 图 1-18 IGBT 的开关过程 开通延迟时间 td(on) ：从 UGE 上升至其幅值 10% 的时刻，到 i...

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• IGBT器件产业化技术

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  (1) 国内外技术现状及发展趋势。 IGBT 是新型电力电子器件的主流器件之一，国外 IGBT 已发展到第三代。 IGBT 在设计上将 MOS 和双极型晶体管结合起来，在性能上兼有双极型器件压降小、...

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• ABB 5SHY351L4502典型器件特性

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  下面艾特贸易小编介绍瑞士 ABB 公司 5SHY351L4502 器件的通断特性和在关断状态下的典型参数。 1 ．通态特性 SSHY35L4502 中的 GCT 在给定的阻断电压范围内 (4.5kV) 的通态压降较低。它具有晶闸...

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• IGBT的关断过程

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  关断延迟时间 td(off) ：从 UCE 后沿下降到其幅值 90% 的时刻起，到 ic 下降至 90% ICM 。 电流下降时间： ic 从 90% ICM 下降至 10% ICM 。 关断时间 toff ：关断延迟时间与电流下降时间之和，电...

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• IGBT的技术发展趋势

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  在开发 IGBT 的技术中，随着产品的更新换代，制造技术不断提高，精细加工也成为可能。现在，功率器件主要采用 1 μ m 以下的加工尺寸。 (1) IGBT 从第一代到第四代的进化。表 1-5 示出...

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