变频技术

变频技术

• 功率场效应晶体管MOSFET简介

  变频技术

  MOSFET 的原意是： MOS （ me tal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体）， FET( FieldEffectTransistor 场效应晶体管 ) ，即以金属层 (M) 的栅极隔着氧化层 (O) 利用电场的效应来控制半导体 (S) 的场效...

  阅读更多

• 功率MOSFET驱动要求

  变频技术

  功率 MOSFET 是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率 MOSFET 的极间电容较大，输入电容 CISS 、输出电容 C...

  阅读更多

• 功率MOSFET的结构

  变频技术

  功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图 1-1 所示。其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率 MOS 管相同，但结构上有较大区别，小功率 MO...

  阅读更多

• 功率MOSFET不隔离的互补驱动电路工作原理

  变频技术

  图 1-7 (a) 为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设备。图 1-7 (b) 所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个 MOSFET 管直通，通常串接一...

  阅读更多

• 功率MOSFET的工作原理

  变频技术

  截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P 基区与 N 漂移区之间形成的 PN 结 J1 反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压 UGS ，栅极是绝缘的，所以不会有栅极...

  阅读更多

• 功率MOSFET正激式驱动电路工作原理

  变频技术

  电路原理如图 1-9 (a) 所示， N3 为去磁绕组， S2 为所驱动的功率管。 R2 为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般 R2 较小，故在...

  阅读更多

• 功率MOSFET的基本特性

  变频技术

  (1) 静态特性。 MOSFET 的转移特性和输出特性如图 1-2 所示。 图 1-2 电力 MOSFET 的转移特性和输出特性 (a) 转移特性； (b) 输出特性 漏极电流 ID 和栅源间电压 UGS 的关系称为 MOSFET 的转移特...

  阅读更多

• 功率MOSFET有隔离变压器的互补驱动电路工作原理

  变频技术

  如图 1-10 所示， VT1 、 VT2 为互补工作，电容 C 起隔离直流的作用， T1 为高频、高磁率的磁环或磁罐。 图 1-10 有隔离变压器的互补驱动电路 导通时隔离变压器上的电压为（ 1-D ） Ui 、关...

  阅读更多

• 功率MOSFET动态性能的改进

  变频技术

  在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来...

  阅读更多

• 功率MOSFET集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路工作原理

  变频技术

  电路构成如图 1-11 所示。其中 UC3724 用来产生高频载波信号，载波频率由电容 CT 和电阻 RT 决定。一般载波频率小于 600kHz ， 4 脚和 6 脚两端产生高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后...

  阅读更多