变频技术

变频技术

  • IGCT应用概述

    变频技术 IGCT应用概述

    为了便于 IGCT 与 GTO 、 IGBT 的应用比较,下面从使用角度对三种 3.3kV 器件的部分特性进行了粗略的比较见表 1-11 。可见, IGCT 兼有 GTO 、 IGBT 两者的优点。 IGCT 的应用情况可从可靠性、...

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  • IGBT的主要参数

    变频技术 IGBT的主要参数

    IGBT 的特性和参数特点如下:开关速度高,开关损耗小。在电压 1000V 以上时,开关损耗只有 GIR 的 1/10 ,与功率 MOSFET 相当;相同电压和电流定额时,安全工作区比 GTR 大,且具有耐脉冲...

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  • IGCT的结构特性与应用概述

    变频技术 IGCT的结构特性与应用概述

    功率半导体器件经过近 40 年的长足发展,在低压 (50~500V) 和中压 (500~ 2000V) 的范围内得到了广泛的应用,而在高压 ( 2000~ 9000V) 范围内的应用却仍存在一些问题,比如晶闸管必须有负载换...

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  • IGBT的擎住效应和安全工作区

    变频技术 IGBT的擎住效应和安全工作区

    擎住效应或自锁效应: NPN 晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻, P 形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降,相当于对 J3 结施加正偏压,一旦 J3 开通,栅极就会失去对集电...

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  • IGCT的结构

    变频技术 IGCT的结构

    集成门极换流的晶闸管 (IGCT) ,也有人称发射极关断的晶闸管 (ETO) ,实际上是关断增益为 1 的 GTO (门极关断的晶闸管),又是把 MOSFET 管从器件(半导体)内部拿到外部来的 MCT 管。...

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  • IGBT的驱动电路

    变频技术 IGBT的驱动电路

    功率器件的不断发展,使得其驱动电路也在不断地发展,相继出现了许多专用的驱动集成电路。 IGBT 的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同...

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  • IGCT的工作原理

    变频技术 IGCT的工作原理

    IGCT 利用门极脉冲开通,导通机理与 GTO 完全一样,但关断机理与 GTO 完全不同。表 1-9 给出了两者工作状态的比较。 表 1-9 IGCT 和 GTO 的工作原来比较 在 IGCT 的关断过程中,当进一步增加...

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  • 关于内建横向电场高压MOSFET发展现状

    变频技术 关于内建横向电场高压MOSFET发展现状

    继 INFINEON1988 年推出 COOLMOS 后, 2000 年初 ST 推出 500V 类似于 COOLMOS 的内部结构,使 500V , 12A 的 MOSFET 可封装在 TO - 220 管壳内,导通电阻为 0.35 Ω,低于 IRFP450 的 0.4 Ω,电流额定值与...

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  • 变频电源的功率器件

    变频技术 变频电源的功率器件

    20 世纪 60 年代电力电子器件从 SCR (晶闸管)、 GTO (门极可关断晶闸管)、 BJT (双极型功率晶体管)、 MOSFET (金属氧化物场效应管)、 SIT (静电感应晶体管)、 SITH (静电感应晶...

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  • COOLMOS与IGBT的比较

    变频技术 COOLMOS与IGBT的比较

    600 、 800V 耐压的 COOLMOS 的高温导通压降分别约 6 、 7.5V ,关断损耗降低 1/2 ,总损耗降低 1/2 以上,使总损耗为常规 MOSFET 的 40%~50% 。常规 600V 耐压 MOSFET 导通损耗占总损耗约 75% ,对应...

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