变频技术

变频技术

  • IGBT基本概念

    变频技术 IGBT基本概念

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 是 MOS 结构双极器件，属于具有功率 MOSFET 的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。 IGBT 的应用范围一般都在耐压 600V 以上、电流 10A 以上、频率为...

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  • IGBT驱动的集成芯片

    变频技术 IGBT驱动的集成芯片

    TLP250 （ TOSHIBA 公司生产）包含一个 GAALAS 光发射二极管和一个集成光探测器， 8 脚双列封装结构。适合于 IGBT 或功率 MOSFET 栅极驱动电路。图 1-20 为 TLP250 的内部结构简图，表 1-4 给出了...

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  • IGCT的缓冲层与浅层发射极

    变频技术 IGCT的缓冲层与浅层发射极

    IGCT 的工作原理表明， IGCT 是在 GTO 芯片基础上进行设计的，但由于传统的 GTO 技术为降低场强而增加了芯片厚度，从而使通态压降和开关损耗增大，为此 IGCT 采用了新的器件设计技术。...

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  • IGBT的结构

    变频技术 IGBT的结构

    就 IGBT 的结构而言，是在 N 沟道 MOSFET 的漏极 N 层上又附加上一层 P 层的 P-N-PN+ 的 4 层结构。图 1-16 (a) 为 N 沟道 VDMOSFET 与 GTR 组合 N 沟道 IGBT (N -IGBT) ， IGBT 比 VD-MOSFET 多一层 P+ 注入区，...

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  • IGBT的开关损耗与性能

    变频技术 IGBT的开关损耗与性能

    在 IGBT 的研制中，要求功率开关器件降低损耗、提高效率、提高性能。 开关器件的损耗分为两类，一类是器件的通态正常（导通）损耗；另一类是从通态向断态（从断态向通态）转换的...

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  • IGCT的二极管集成和隔离区

    变频技术 IGCT的二极管集成和隔离区

    以往的非穿通型（即不带缓冲层） GTO 的硅片厚度大于与之配对的续流二极管的硅片厚度，从而使逆导 GTO 承受过多的功耗，因此二者集成的优点得不到较好的体现。缓冲层的引入克服了...

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  • IGBT的工作原理

    变频技术 IGBT的工作原理

    N 沟型的 IGBT 工作是通过栅极一发射极间加阀值电压 VTH 以上的（正）电压，在栅极电极正下方的 P 层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的 N- 层注入电子。该电子为 P+N-P 晶体...

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  • IGBT的改进开关特性技术

    变频技术 IGBT的改进开关特性技术

    为改进开关特性所研制的技术主要是使浓度与层的厚度达到最佳化，减少成为储存载流子的空穴，使 IGBT 特有的集电极电流拖尾部分减少。通过单元图形的最佳化减少输入阻抗 RG ，使...

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  • IGCT的透明阳极

    变频技术 IGCT的透明阳极

    为了实现低的关断损耗，需要对阳极晶体管的增益加以限制，因而要求阳极的厚度要薄，浓度要低。透明阳极是一个很薄的 PN 结，其发射效率与电流有关。因为电子穿透阳极就像阳极被...

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  • IGBT的基本特性

    变频技术 IGBT的基本特性

    在通态中， IGBT 可以按照“第一近似”和功率 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管建模。假如阴极和阳极之间的压降不超过 0.7V ，即使栅信号让 MOSFET 沟道形成，集电极电流 Ic 也无法流通。当沟道上...

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